GD100HFU120C2S, IGBT MODULE, 1.2KV, 200A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
72 шт., срок 7-9 недель
16 920 руб.
от 5 шт. —
15 710 руб.
от 10 шт. —
15 490 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 16 920 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 3.1В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 200А |
| DC Ток Коллектора | 200А |
| Power Dissipation | 1.136кВт |
| Выводы БТИЗ | Stud |
| Конфигурация БТИЗ | Half Bridge |
| Линейка Продукции | PW Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 3.1В |
| Рассеиваемая Мощность | 1.136кВт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | NPT IGBT(Standard) |
| Вес, г | 300 |
Техническая документация
Datasheet GD100HFU120C1S
pdf, 227 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
