GD100HFU120C8S, IGBT MODULE, 1.2KV, 154A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
44 шт., срок 7-9 недель
12 900 руб.
от 5 шт. —
11 970 руб.
от 10 шт. —
11 800 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 12 900 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 2.9В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 154А |
| DC Ток Коллектора | 154А |
| Power Dissipation | 791Вт |
| Выводы БТИЗ | Stud |
| Конфигурация БТИЗ | Half Bridge |
| Линейка Продукции | PW Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 125°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 2.9В |
| Рассеиваемая Мощность | 791Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | NPT IGBT(Standard) |
| Вес, г | 200 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 184 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
