GD100HFX65C1S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 127 А, 1.45 В, 319 Вт, 150 °C, Module

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

18 шт., срок 8-10 недель

9 810 руб.

от 5 шт. — 9 320 руб.

от 10 шт. — 8 700 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 9 810 руб.

Номенклатурный номер: 8004293334

Артикул: GD100HFX65C1S

Бренд: STARPOWER

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Collector Emitter Saturation Voltage	1.45В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	127А
DC Ток Коллектора	127А
Power Dissipation	319Вт
Выводы БТИЗ	Stud
Конфигурация БТИЗ	Half Bridge
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	650В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.45В
Рассеиваемая Мощность	319Вт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	Trench Field Stop
Вес, г	300