GD1200HFY120C3S, IGBT MODULE, 1.2KV, 2.23KA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 шт., срок 7-9 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
99 860 руб.
от 5 шт. —
92 790 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 99 860 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 2.23кА |
| DC Ток Коллектора | 2.23кА |
| Power Dissipation | 8.196кВт |
| Выводы БТИЗ | Stud |
| Конфигурация БТИЗ | Half Bridge |
| Линейка Продукции | PW Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.7В |
| Рассеиваемая Мощность | 8.196кВт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | Trench |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
