GD150HFX65C1S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 180 А, 1.45 В, 437 Вт, 150 °C, Module

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

206 шт., срок 8-10 недель

10 370 руб.

от 5 шт. — 9 890 руб.

от 10 шт. — 9 270 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 10 370 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004293335

Артикул: GD150HFX65C1S

Бренд: STARPOWER

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Collector Emitter Saturation Voltage	1.45В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	180А
DC Ток Коллектора	180А
Power Dissipation	437Вт
Выводы БТИЗ	Stud
Конфигурация БТИЗ	Half Bridge
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	650В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.45В
Рассеиваемая Мощность	437Вт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	Trench Field Stop
Вес, г	300