GD15PJX65F1S, IGBT MODULE, 650V, 20A, 95W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
25 шт., срок 7-9 недель
7 260 руб.
от 5 шт. —
6 920 руб.
от 10 шт. —
6 480 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 260 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.45В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 20А |
| Power Dissipation | 95Вт |
| Выводы БТИЗ | Solder |
| Конфигурация БТИЗ | PIM Three Phase Input Rectifier |
| Линейка Продукции | PW Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Module |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
| Вес, г | 30 |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
