GD200HFY120C8S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 309 А, 1.7 В, 1.006 кВт, 150 °C, Module

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3 шт., срок 8-10 недель

15 300 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 15 300 руб.

Номенклатурный номер: 8004526834

Артикул: GD200HFY120C8S

Бренд: STARPOWER

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Collector Emitter Saturation Voltage	1.7В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	309А
DC Ток Коллектора	309А
Power Dissipation	1.006кВт
Выводы БТИЗ	Stud
Конфигурация БТИЗ	Half Bridge
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.7В
Рассеиваемая Мощность	1.006кВт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	Trench Field Stop
Вес, г	300