GD400SGX170C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Single, 648 А, 1.85 В, 2.38 кВт, 150 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 шт., срок 8-10 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
27 520 руб.
от 5 шт. —
22 430 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 27 520 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.85В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.7кВ |
Continuous Collector Current | 648А |
DC Ток Коллектора | 648А |
Power Dissipation | 2.38кВт |
Выводы БТИЗ | Stud |
Конфигурация БТИЗ | Single |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.7кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.85В |
Рассеиваемая Мощность | 2.38кВт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
Вес, г | 200 |
Техническая документация
Datasheet GD400SGX170C2S
pdf, 206 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.