GD400SGX170C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Single, 648 А, 1.85 В, 2.38 кВт, 150 °C, Module

GD400SGX170C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Single, 648 А, 1.85 В, 2.38 кВт, 150 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
9 шт., срок 8-10 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
27 520 руб.
от 5 шт.22 430 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 27 520 руб.
Номенклатурный номер: 8004526836
Артикул: GD400SGX170C2S
Бренд: STARPOWER

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.85В
Collector Emitter Voltage Max 1.7кВ
Continuous Collector Current 648А
DC Ток Коллектора 648А
Power Dissipation 2.38кВт
Выводы БТИЗ Stud
Конфигурация БТИЗ Single
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.7кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.85В
Рассеиваемая Мощность 2.38кВт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ Trench Field Stop
Вес, г 200

Техническая документация

Datasheet GD400SGX170C2S
pdf, 206 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.