GD50FFX65C5S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Three Phase Full Bridge, 72 А, 1.45 В, 189 Вт, 150 °C, Module

GD50FFX65C5S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Three Phase Full Bridge, 72 А, 1.45 В, 189 Вт, 150 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
10 шт., срок 7-9 недель
12 560 руб.
от 5 шт.11 620 руб.
от 10 шт.11 410 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 12 560 руб.
Номенклатурный номер: 8007322741
Артикул: GD50FFX65C5S
Бренд: STARPOWER

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.45В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current 72А
DC Ток Коллектора 72А
Power Dissipation 189Вт
Выводы БТИЗ Press Fit
Конфигурация БТИЗ Three Phase Full Bridge
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 650В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.45В
Рассеиваемая Мощность 189Вт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ Trench Field Stop
Вес, г 200

Техническая документация

Datasheet GD50FFX65C5S
pdf, 224 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.