GD800SGX170C3S, IGBT MODULE
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 шт., срок 7-9 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
63 220 руб.
от 5 шт. —
58 750 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 63 220 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 2.3В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.7кВ |
| Continuous Collector Current | 800А |
| Power Dissipation | 5.75кВт |
| Выводы БТИЗ | Tab |
| Конфигурация БТИЗ | Dual Common Emitter Common Gate |
| Линейка Продукции | PW Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
