GT15J341 транзистор, IGBT N-Ch 600V 15A 1.5Vce
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. со склада г.Москва
410 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 410 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 15 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±25V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 30 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-220SIS |
| Pin Count | 3 |
| Switching Speed | 100kHz |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 9 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
