GT30J127 Formed Leads, Транзистор, IGBT, 600В, 30А [TO-220SIS]

Фото 2/2 GT30J127 Formed Leads, Транзистор, IGBT, 600В, 30А [TO-220SIS]
Фото 1/2 GT30J127 Formed Leads, Транзистор, IGBT, 600В, 30А [TO-220SIS]
116 шт. со склада г.Москва
140 руб.
от 15 шт.126 руб.
от 150 шт.по запросу
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 140 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000448127
Артикул: GT30J127 Formed Leads
Производитель: Toshiba

Технические параметры

Технология/семейство gen6
Наличие встроенного диода нет
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Импульсный ток коллектора (Icm), А 200
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 25
Корпус TO-220SIS
Вес, г 1.9

Техническая документация

GT30J127
pdf, 1025 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах