GT30J322(Q), Транзистор, IGBT, 600В, 30А [2-16F1A]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

Цена и сроки поставки по запросу

600 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 600 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 9000765693

Артикул: GT30J322(Q)

Бренд: Toshiba

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.

Технология/семейство	Gen 4
Наличие встроенного диода	Да
Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	30
Импульсный ток коллектора (Icm), А	60
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	75
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Корпус	2-16F1A
Вес, г	5.8