GT30J322(Q), Транзистор, IGBT, 600В, 30А [2-16F1A]

Фото 2/4 GT30J322(Q), Транзистор, IGBT, 600В, 30А [2-16F1A]Фото 3/4 GT30J322(Q), Транзистор, IGBT, 600В, 30А [2-16F1A]Фото 4/4 GT30J322(Q), Транзистор, IGBT, 600В, 30А [2-16F1A]
Фото 1/4 GT30J322(Q), Транзистор, IGBT, 600В, 30А [2-16F1A]
10 шт. со склада г.Екатеринбург
Ожидается на склад г.Москва: 23 декабря 2021 г. — 50 шт.
290 руб.
от 15 шт.276 руб.
от 150 шт.по запросу
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 290 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000765693
Артикул: GT30J322(Q)
Производитель: Toshiba

Описание

Дискретные IGBT, Toshiba

Технические параметры

Технология/семейство gen4
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 30
Импульсный ток коллектора (Icm), А 60
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 75
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус 2-16f1a
Вес, г 5.8

Техническая документация

Datasheet GT30J322
pdf, 427 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах