GT40WR21,Q(O, Транзистор IGBT 1800В 40А 375Вт [TO-3P(N)]

GT40WR21,Q(O, Транзистор IGBT 1800В 40А 375Вт [TO-3P(N)]
162 шт. со склада г.Москва
880 руб.
от 10 шт.795 руб.
от 100 шт.767 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 880 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000417311
Артикул: GT40WR21,Q(O
Производитель: Toshiba

Технические параметры

Технология/семейство gen 6.5
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 1800
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 40
Импульсный ток коллектора (Icm), А 80
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 375
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Корпус to-3p(n)
Вес, г 6.5

Техническая документация

Datasheet GT40WR21
pdf, 381 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах