GT50J325, Транзистор, IGBT, 600В, 50А [2-21F2C]

GT50J325, Транзистор, IGBT, 600В, 50А [2-21F2C]
101 шт. со склада г.Москва
620 руб.
от 15 шт.600 руб.
от 150 шт.по запросу
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 620 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000273143
Артикул: GT50J325
Производитель: Toshiba

Технические параметры

Технология/семейство gen4
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 50
Импульсный ток коллектора (Icm), А 100
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 240
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус 2-21f2c
Вес, г 9.75

Техническая документация

GT50J325
pdf, 167 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах