GT60N321, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C]

GT60N321, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C]
321 шт. со склада г.Москва
360 руб.
от 15 шт.344 руб.
от 150 шт.341 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 360 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9500050462
Артикул: GT60N321
Производитель: Toshiba

Технические параметры

Технология/семейство gen4
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 1000
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 170
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 330
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 700
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус 2-21f2c
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 1000
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 1000
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 60
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 75
Корпус to3p
Вес, г 9.8

Техническая документация

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах