GT60N321, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

95 шт. со склада г.Москва

890 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 890 руб.

Номенклатурный номер: 9500050462

Артикул: GT60N321

Бренд: Toshiba

pdf, 211 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

С этим товаром покупают

Китай

690 руб.

MEAN WELL

3 090 руб.

ST Microelectronics

3 120 руб.

ChipDipDac

370 руб.

Solins

750 руб.

Мы рекомендуем

Технология/семейство	Gen 4
Наличие встроенного диода	Да
Максимальное напряжение КЭ ,В	1000
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	60
Импульсный ток коллектора (Icm), А	120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	170
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	330
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	700
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Корпус	2-21F2C
Вес, г	9.8