Мой регион: Россия

HGTG40N60B3, Транзистор, UFS IGBT, N-канал, 70А, 600В, [TO-247]

Ном. номер: 11365
Артикул: HGTG40N60B3
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/3 HGTG40N60B3, Транзистор, UFS IGBT, N-канал, 70А, 600В, [TO-247]
Фото 2/3 HGTG40N60B3, Транзистор, UFS IGBT, N-канал, 70А, 600В, [TO-247]Фото 3/3 HGTG40N60B3, Транзистор, UFS IGBT, N-канал, 70А, 600В, [TO-247]
940 руб.
166 шт. со склада г.Москва
от 15 шт. — 929 руб.
от 150 шт. — 926 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 940 руб.
В кредит от 0 руб./мес

The HGTG40N60B3 is a N-channel PT IGBT ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as drivers for solenoids, relays and contactors. The UFS series MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower ON-state voltage drop varies only moderately between 25 and 150°C.

• Short-circuit rating
• 100ns Fall time @ TJ = 150°C
• 290W Total power dissipation @ TC = 25°C

Технические параметры

Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Вес, г
7.5

Техническая документация

HGTG40N60B3 Datasheet
pdf, 237 КБ

Дополнительная информация

Datasheet HGTG40N60B3

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.