HGTG40N60B3, IGBT 600В 70А TO247AC, Транзистор IGBT 600В 70А TO247AC

PartNumber: HGTG40N60B3
Ном. номер: 11365
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/3 HGTG40N60B3, IGBT 600В 70А TO247AC, Транзистор IGBT 600В 70А TO247AC
Фото 2/3 HGTG40N60B3, IGBT 600В 70А TO247AC, Транзистор IGBT 600В 70А TO247ACФото 3/3 HGTG40N60B3, IGBT 600В 70А TO247AC, Транзистор IGBT 600В 70А TO247AC
Доступно на заказ 414 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
710 руб. × = 710 руб.
от 5 шт. — 700 руб.
от 10 шт. — 685 руб.

Описание

The HGTG40N60B3 is a N-channel PT IGBT ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as drivers for solenoids, relays and contactors. The UFS series MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower ON-state voltage drop varies only moderately between 25 and 150°C.

• Short-circuit rating
• 100ns Fall time @ TJ = 150°C
• 290W Total power dissipation @ TC = 25°C

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2
Управляющее напряжение,В
6
Мощность макс.,Вт
Температурный диапазон,С
-55…150
Дополнительные опции
выдерживает 2мкс кз
Корпус

Техническая документация

Дополнительная информация

Datasheet HGTG40N60B3, IGBT 600В 70А TO247AC HGTG40N60B3
HGTP12N60B3 Transistor, IGBT Data Sheet