HGTG40N60B3, Транзистор, UFS IGBT, N-канал, 70А, 600В, [TO-247]

Фото 2/3 HGTG40N60B3, Транзистор, UFS IGBT, N-канал, 70А, 600В, [TO-247]Фото 3/3 HGTG40N60B3, Транзистор, UFS IGBT, N-канал, 70А, 600В, [TO-247]
Фото 1/3 HGTG40N60B3, Транзистор, UFS IGBT, N-канал, 70А, 600В, [TO-247]
Ном. номер: 11365
Артикул: HGTG40N60B3
Производитель: Fairchild Semiconductor
730 руб.
171 шт. со склада г.Москва
от 15 шт. — 719 руб.
от 150 шт. — 716 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 730 руб.
В кредит от 0 руб./мес

Описание

The HGTG40N60B3 is a N-channel PT IGBT ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as drivers for solenoids, relays and contactors. The UFS series MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower ON-state voltage drop varies only moderately between 25 and 150°C.

• Short-circuit rating
• 100ns Fall time @ TJ = 150°C
• 290W Total power dissipation @ TC = 25°C

Технические параметры

Технология/семейство ufs
Наличие встроенного диода нет
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 70
Импульсный ток коллектора (Icm), А 330
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 47
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 170
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус to-247
Структура n-канал
Управляющее напряжение,В 6
Дополнительные опции выдерживает 2мкс кз
Вес, г 7.5

Техническая документация

HGTG40N60B3 Datasheet
pdf, 237 КБ

Дополнительная информация

Datasheet HGTG40N60B3
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах