HP8K24TB, MOSFET HP8K24 is the high reliability transistor, suitable for switching and DC-DC converter.

HP8K24TB, MOSFET HP8K24 is the high reliability transistor, suitable for switching and DC-DC converter.
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1405 шт., срок 7-9 недель
490 руб.
от 10 шт.360 руб.
от 100 шт.272 руб.
от 500 шт.220.42 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 490 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8005263044
Артикул: HP8K24TB
Бренд: Rohm

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Silicon Power MOSFETs ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.

Технические параметры

Brand: ROHM Semiconductor
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Dual
Factory Pack Quantity: 2500
Fall Time: 3.4 ns, 19 ns
Id - Continuous Drain Current: 27 A, 80 A
Manufacturer: ROHM Semiconductor
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 2 Channel
Package/Case: HSOP-8
Packaging: Reel, Cut Tape
Part # Aliases: HP8K24
Pd - Power Dissipation: 22 W, 31 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 10 nC, 36 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 8.8 mOhms, 3 mOhms
Rise Time: 4.5 ns, 12 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 2 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 25.5 ns, 59 ns
Typical Turn-On Delay Time: 9.6 ns, 20 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.3 V
Вес, г 0.77

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.