HY19P03D, Транзистор P-MOSFET 30В 90А [TO-252]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Цена и сроки поставки по запросу
110 руб.
от 5 шт. —
98 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 110 руб.
Альтернативные предложения2
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 90A(Tc) |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 50W(Tc) |
Rds On - Drain-Source Resistance | 6mО© @ 45A,10V |
Transistor Polarity | P Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 3V @ 250uA |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet HY19P03D
pdf, 1264 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов