HY19P03D, Транзистор P-MOSFET 30В 90А [TO-252]

HY19P03D, Транзистор P-MOSFET 30В 90А [TO-252]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Цена и сроки поставки по запросу
110 руб.
от 5 шт.98 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 110 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 9000683313
Артикул: HY19P03D
Бренд: HUAYI

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 90A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 50W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance 6mО© @ 45A,10V
Transistor Polarity P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30V
Vgs - Gate-Source Voltage 3V @ 250uA
Вес, г 0.4

Техническая документация

Datasheet HY19P03D
pdf, 1264 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов