IDD06SG60CXTMA2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
670 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 670 руб.
Описание
The Infineon CoolSiC generation 3 offers lowest device capacitance for any given current rating, which further enhances overall system efficiency, especially at higher switching frequencies and under low load conditions for the schottky barrier diode with current rating of 6 A.
Технические параметры
| Diode Configuration | Single |
| Diode Technology | SiC Schottky |
| Diode Type | SiC Schottky |
| Maximum Continuous Forward Current | 6A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | PG-TO252 |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 600V |
| Pin Count | 3 |
| Rectifier Type | Schottky Diode |
| Average Forward Current | 6А |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 600В |
| Количество Выводов | 3 Вывода |
| Линейка Продукции | CoolSic 3G thinQ |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Полный Емкостной Заряд Qc | 8нКл |
| Стиль Корпуса Диода | TO-252 |
| Тип Монтажа Диода | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Вес, г | 19.96 |
Техническая документация
Datasheet IDD06SG60CXTMA2
pdf, 760 КБ
