IDW20G65C5XKSA1, Карбидокремниевый диод Шоттки, thinQ, Одиночный, 650 В, 20 А, 29 нКл, TO-247
![Фото 1/3 IDW20G65C5XKSA1, Карбидокремниевый диод Шоттки, thinQ, Одиночный, 650 В, 20 А, 29 нКл, TO-247](https://static.chipdip.ru/lib/432/DOC004432123.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/610/DOC023610662.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517015.jpg)
2 270 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
2 090 руб.
от 10 шт. —
1 950 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 4 540 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\Диоды\Диоды Шоттки\Диоды - Карбидокремниевые Шоттки
Experience the Difference in PowerInfineon is the leader in the power semiconductor market. With more than 20 years of experience and as the innovator of the revolutionary CoolMOS™ superjunction MOSFET technology, Infineon continues pioneering in the power management field. Customers can select based on their individual design/system requirements from the currently broadest silicon-based SJ MOSFET portfolio in the industry. As one of the few manufacturers mastering all of the main three power technologies, Infineon complements this assortment with a groundbreaking wide bandgap (WBG) offering. This offering consists of silicon-carbide-based CoolSiC™ MOSFETs, matching diodes, and gallium-nitride-based CoolGaN™ e-mode HEMTs. Solutions, available to choose from, range from exceptional in price-performance through unrivaled in robustness to best-in-class devices. This enables customers to build the most efficient, environmentally friendliest, and most sustainable applications.
Технические параметры
Конфигурация диода | Одиночный | |
Average Forward Current | 20А | |
Repetitive Peak Reverse Voltage | 650В | |
Количество Выводов | 3 Вывода | |
Линейка Продукции | thinQ | |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C | |
Полный Емкостной Заряд Qc | 29нКл | |
Стиль Корпуса Диода | TO-247 | |
Тип Монтажа Диода | Сквозное Отверстие | |
Diode Configuration | Single | |
Diode Technology | SiC Schottky | |
Diode Type | SiC Schottky | |
Maximum Continuous Forward Current | 20A | |
Mounting Type | Through Hole | |
Package Type | TO-247 | |
Peak Reverse Repetitive Voltage | 650V | |
Rectifier Type | Schottky Diode | |
Series | XDW20G65 | |
Brand: | Infineon Technologies | |
Configuration: | Single | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 240 | |
If - Forward Current: | 20 A | |
Ifsm - Forward Surge Current: | 103 A | |
Ir - Reverse Current: | 1.1 uA | |
Manufacturer: | Infineon | |
Maximum Operating Temperature: | +175 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | Through Hole | |
Package / Case: | TO-247-3 | |
Packaging: | Tube | |
Part # Aliases: | IDW20G65C5 SP001632900 | |
Pd - Power Dissipation: | 112 W | |
Product Category: | Schottky Diodes & Rectifiers | |
Product Type: | Schottky Diodes & Rectifiers | |
Product: | Schottky Silicon Carbide Diodes | |
Series: | XDW20G65 | |
Subcategory: | Diodes & Rectifiers | |
Technology: | SiC | |
Tradename: | CoolSiC | |
Vf - Forward Voltage: | 1.5 V | |
Vr - Reverse Voltage: | 650 V | |
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 650 V | |
Вес, г | 4.3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1169 КБ
Трёхмерное изображение изделия
zip, 2 КБ
Трёхмерное изображение изделия
zip, 631 КБ
Трёхмерное изображение изделия
zip, 2 КБ
Диоды импортные
pdf, 304 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Диоды Шоттки»
Типы корпусов импортных диодов
Похожие товары