IGW25T120FKSA1 (G25T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 25А 190Вт [PG-TO-247-3]

Фото 1/2 IGW25T120FKSA1 (G25T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 25А 190Вт [PG-TO-247-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
680 руб.
от 15 шт.670 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 680 руб.
Номенклатурный номер: 9000624195
Артикул: IGW25T120FKSA1 (G25T120)
PartNumber: IGW25T120FKSA1

Описание

IGBT NPT, траншейный полевой упор 1200 В, 50 А, 190 Вт, сквозное отверстие PG-TO247-3

Технические параметры

Технология/семейство TRENCHSTOP and Fieldstop
Наличие встроенного диода Нет
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 50
Импульсный ток коллектора (Icm), А 75
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 190
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 50
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 560
Рабочая температура (Tj), °C -40…+150
Корпус PG-TO247-3
Вес, г 7.5

Техническая документация

Datasheet IGW25T120
pdf, 350 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов