IGW75N60H3FKSA1, БТИЗ транзистор, 140 А, 1.85 В, 428 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 990 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 1 830 руб.

от 10 шт. — 1 570 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 3 980 руб.

Номенклатурный номер: 8002924684

Артикул: IGW75N60H3FKSA1

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные

Полевой упор для траншеи IGBT, 600 В, 140 А, 428 Вт, сквозное отверстие, PG-TO247-3

Collector Emitter Saturation Voltage	1.85В
Collector Emitter Voltage Max	600В
Continuous Collector Current	140А
Power Dissipation	428Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	TRENCHSTOP IGBT3
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Base Product Number	IGW75N60 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	140A
Current - Collector Pulsed (Icm)	225A
ECCN	EAR99
Gate Charge	470nC
HTSUS	8541.29.0095
IGBT Type	Trench Field Stop
Input Type	Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-40В°C ~ 175В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-247-3
Power - Max	428W
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Series	TrenchStopВ® ->
Supplier Device Package	PG-TO247-3
Switching Energy	3mJ (on), 1.7mJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C	31ns/265ns
Test Condition	400V, 75A, 5.2Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.3V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Channel Type	N
Energy Rating	6.2mJ
Gate Capacitance	4620pF
Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
Maximum Continuous Collector Current	75 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	428 W
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Manufacturer	Infineon Technologies
Packaging	Tube
Part Status	Active
Вес, г	19.96