IHW30N135R5XKSA1 (H30PR5), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1350В, 30А [PG-TO247-3]

Фото 2/6 IHW30N135R5XKSA1 (H30PR5), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1350В, 30А [PG-TO247-3]Фото 3/6 IHW30N135R5XKSA1 (H30PR5), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1350В, 30А [PG-TO247-3]Фото 4/6 IHW30N135R5XKSA1 (H30PR5), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1350В, 30А [PG-TO247-3]Фото 5/6 IHW30N135R5XKSA1 (H30PR5), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1350В, 30А [PG-TO247-3]Фото 6/6 IHW30N135R5XKSA1 (H30PR5), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1350В, 30А [PG-TO247-3]
Фото 1/6 IHW30N135R5XKSA1 (H30PR5), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1350В, 30А [PG-TO247-3]
393 шт. со склада г.Москва
470 руб.
от 15 шт.447 руб.
от 150 шт.444 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 470 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000685946
Артикул: IHW30N135R5XKSA1 (H30PR5)
PartNumber: IHW30N135R5XKSA1
Производитель: Infineon Technologies

Описание

IGBT транзистор TRENCHSTOP 5 поколения 1350 В, 30 А с обратно параллельным диодом в корпусе ТО-247-3.

Характеристики:

Напряжение коллектор-эмиттер: 1350 В;

Ток коллектора: 30А;

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.65 В;

Максимальное напряжение затвор-эмиттер: ±20 В;

Ток коллектора при 25°С: 60 A;

Рассеиваемая мощность: 330 Вт;

Ток утечки затвор-эмиттер: 100 нА;

Заряд затвора: 235 нКл;

Рабочая температура: -40...+175 °C;

Корпус: TO-247-3

Корпус TO-247-3

Технические параметры

Технология/семейство trench
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 1350
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А 90
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.95
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 330
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 310
Рабочая температура (Tj), °C -40…+175
Корпус pg-to-247-3
Вес, г 7.5

Техническая документация

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах