IKB10N60TATMA1

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

860 руб.

от 2 шт. — 740 руб.

от 5 шт. — 668 руб.

от 8 шт. — 632.50 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 860 руб.

Номенклатурный номер: 8001951907

Электроэлемент

Описание Одиночный транзистор IGBT, 10А, 2,05В, 110Вт, 600В, TO-263, 3 контакта Характеристики

Brand	Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.8 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current at 25 C	24 A
Continuous Collector Current Ic Max	18 A
Factory Pack Quantity	1000
Gate-Emitter Leakage Current	100 nA
Height	4.57 mm
Length	10.31 mm
Manufacturer	Infineon
Maximum Gate Emitter Voltage	20 V
Maximum Operating Temperature	+175 C
Minimum Operating Temperature	-40 C
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	TO-263-3
Packaging	Reel
Part # Aliases	IKB10N60T IKB10N60TXT SP000014833
Pd - Power Dissipation	110 W
Product Category	IGBT Transistors
RoHS	Details
Series	XKB10N60
Technology	Si
Width	9.45 mm
Collector Emitter Saturation Voltage	1.5В
Collector Emitter Voltage Max	600В
Continuous Collector Current	24А
Power Dissipation	110Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	TRENCHSTOP IGBT3
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора	TO-263(D2PAK)
Вес, г	1.56