IKB20N60H3ATMA1, БТИЗ транзистор, 40 А, 1.95 В, 170 Вт, 600 В, TO-263 (D2PAK), 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
710 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
620 руб.
от 100 шт. —
481 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 2 840 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.95В |
Collector Emitter Voltage Max | 600В |
Continuous Collector Current | 40А |
Power Dissipation | 170Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | HighSpeed 3 |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
Channel Type | N |
Collector Current (DC) | 40(A) |
Collector-Emitter Voltage | 600(V) |
Configuration | Single |
Gate to Emitter Voltage (Max) | ±20(V) |
Mounting | Surface Mount |
Operating Temperature (Max) | 175C |
Operating Temperature (Min) | -40C |
Operating Temperature Classification | Automotive |
Package Type | D2PAK |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 2+Tab |
Rad Hardened | No |
Вес, г | 0.3 |
Техническая документация
Datasheet IKB20N60H3ATMA1
pdf, 1825 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов