IKB20N60H3ATMA1, БТИЗ транзистор, 40 А, 1.95 В, 170 Вт, 600 В, TO-263 (D2PAK), 3 вывод(-ов)

IKB20N60H3ATMA1, БТИЗ транзистор, 40 А, 1.95 В, 170 Вт, 600 В, TO-263 (D2PAK), 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
710 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт.620 руб.
от 100 шт.481 руб.
Добавить в корзину 4 шт. на сумму 2 840 руб.
Номенклатурный номер: 8001885023
Артикул: IKB20N60H3ATMA1

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.95В
Collector Emitter Voltage Max 600В
Continuous Collector Current 40А
Power Dissipation 170Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции HighSpeed 3
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора TO-263(D2PAK)
Channel Type N
Collector Current (DC) 40(A)
Collector-Emitter Voltage 600(V)
Configuration Single
Gate to Emitter Voltage (Max) ±20(V)
Mounting Surface Mount
Operating Temperature (Max) 175C
Operating Temperature (Min) -40C
Operating Temperature Classification Automotive
Package Type D2PAK
Packaging Tape and Reel
Pin Count 2+Tab
Rad Hardened No
Вес, г 0.3

Техническая документация

Datasheet IKB20N60H3ATMA1
pdf, 1825 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов