IKD15N60RFATMA1, БТИЗ транзистор, 30 А, 2.2 В, 250 Вт, 600 В, TO-252 (DPAK), 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
560 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт. —
510 руб.
от 100 шт. —
388 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 2 800 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Описание Транзистор: IGBT, TRENCHSTOP™ RC, 600В, 15А, 250Вт, DPAK Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 2.2В |
Collector Emitter Voltage Max | 600В |
Continuous Collector Current | 30А |
Power Dissipation | 250Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP RC |
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 30 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
Maximum Power Dissipation | 250 W |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | PG-TO252 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1868 КБ
Datasheet IKD15N60RFATMA1
pdf, 1941 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов