IKD15N60RFATMA1, БТИЗ транзистор, 30 А, 2.2 В, 250 Вт, 600 В, TO-252 (DPAK), 3 вывод(-ов)

Фото 1/3 IKD15N60RFATMA1, БТИЗ транзистор, 30 А, 2.2 В, 250 Вт, 600 В, TO-252 (DPAK), 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
560 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт.510 руб.
от 100 шт.388 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 2 800 руб.
Номенклатурный номер: 8000370708
Артикул: IKD15N60RFATMA1

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Описание Транзистор: IGBT, TRENCHSTOP™ RC, 600В, 15А, 250Вт, DPAK Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 2.2В
Collector Emitter Voltage Max 600В
Continuous Collector Current 30А
Power Dissipation 250Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции TRENCHSTOP RC
Максимальная Рабочая Температура 175 C
Стиль Корпуса Транзистора TO-252(DPAK)
Channel Type N
Configuration Single
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
Maximum Continuous Collector Current 30 A
Maximum Gate Emitter Voltage 20V
Maximum Power Dissipation 250 W
Number of Transistors 1
Package Type PG-TO252
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Вес, г 0.1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1868 КБ
Datasheet IKD15N60RFATMA1
pdf, 1941 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов