IKW25T120FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 190 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 080 руб.
от 3 шт. —
1 000 руб.
от 6 шт. —
943 руб.
от 11 шт. —
890 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 080 руб.
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 190 Вт
Технические параметры
| Корпус | PG-TO-247-3 | |
| Pd - рассеивание мощности | 190 W | |
| Вид монтажа | Through Hole | |
| Высота | 21 mm | |
| Длина | 15.8 mm | |
| Другие названия товара № | IKW25T12XK SP000013939 IKW25T120FKSA1 | |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I | |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP | |
| Конфигурация | Single | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V | |
| Минимальная рабочая температура | 40 C | |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.7 V | |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 50 A | |
| Подкатегория | IGBTs | |
| Размер фабричной упаковки | 240 | |
| Серия | Trenchstop IGBT3 | |
| Технология | Si | |
| Тип продукта | IGBT Transistors | |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 600 nA | |
| Торговая марка | Infineon Technologies | |
| Упаковка | Tube | |
| Упаковка / блок | TO-247-3 | |
| Ширина | 5 mm | |
| Channel Type | N | |
| Energy Rating | 7mJ | |
| Gate Capacitance | 1860pF | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Continuous Collector Current | 50 A | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 190 W | |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Package Type | TO-247 | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Brand | Infineon Technologies | |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1200 V | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.2 V | |
| Configuration | Single | |
| Continuous Collector Current at 25 C | 50 A | |
| Continuous Collector Current Ic Max | 25 A | |
| Factory Pack Quantity | 240 | |
| Gate-Emitter Leakage Current | 600 nA | |
| Height | 21 mm | |
| Length | 15.8 mm | |
| Manufacturer | Infineon | |
| Mounting Style | Through Hole | |
| Package / Case | TO-247-3 | |
| Packaging | Tube | |
| Part # Aliases | IKW25T120FKSA1 IKW25T120XK SP000013939 | |
| Pd - Power Dissipation | 190 W | |
| Product Category | IGBT Transistors | |
| RoHS | Details | |
| Series | IKW25T120 | |
| Technology | Si | |
| Unit Weight | 1.340411 oz | |
| Width | 5 mm | |
| Вес, г | 8.3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IKW25T120
pdf, 512 КБ
Datasheet IKW25T120FKSA1
pdf, 511 КБ
Datasheet IKW25T120FKSA1
pdf, 512 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
