Добавить к сравнению Сравнить ()

IKW30N60T (K30T60), Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 30А, [TO-247]

Артикул: IKW30N60T (K30T60)
PartNumber: IKW30N60TFKSA1
Ном. номер: 9000180776
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IKW30N60T (K30T60), Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 30А, [TO-247]
Фото 2/3 IKW30N60T (K30T60), Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 30А, [TO-247]Фото 3/3 IKW30N60T (K30T60), Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 30А, [TO-247]
Есть в наличии более 40 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка завтра
120 × = 120
от 25 шт. — 105 руб.
от 250 шт. — по запросу
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IKW30N60T is a 600V Discrete IGBT with very soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled diode. TRENCHSTOP™ IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device due to combination of trench top-cell and filed stop concept. Combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses. Discrete IGBT is ideal for hard switching applications as well as soft switching applications and other resonant applications.

• Lowest Vce (sat) drop for lower conduction losses
• Low switching losses
• Easy to parallel switching capability due to positive temperature coefficient in Vce (sat)
• High ruggedness, temperature stable behaviour
• Low EMI emissions
• Low gate charge
• Very tight parameter distribution
• Highest efficiency
• Low conduction and switching losses

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
1.5
Управляющее напряжение,В
4.9
Мощность макс.,Вт
Крутизна характеристики, S
Дополнительные опции
trench and fieldstop
Корпус

Техническая документация

ikw30n60t
pdf, 395 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IKW30N60T (K30T60) IKW30N60TFKSA1
IKW30N60T, IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with Soft, Fast Recovery Anti-Parallel Emitter Controlled HE Diode IKW30N60T (K30T60) IKW30N60TFKSA1
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов