IKW30N60TFKSA1 (K30T60), Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 30А, [TO-247]

Фото 2/4 IKW30N60TFKSA1 (K30T60), Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 30А, [TO-247]Фото 3/4 IKW30N60TFKSA1 (K30T60), Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 30А, [TO-247]Фото 4/4 IKW30N60TFKSA1 (K30T60), Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 30А, [TO-247]
Фото 1/4 IKW30N60TFKSA1 (K30T60), Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 30А, [TO-247]
574 шт. со склада г.Москва
470 руб.
от 15 шт.449 руб.
от 150 шт.447 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 470 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 9000180776
Артикул: IKW30N60TFKSA1 (K30T60)
PartNumber: IKW30N60TFKSA1
Страна происхождения: КИТАЙ
Производитель: Infineon Technologies

Описание

IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, 600 и 650 В
Линейка IGBT-транзисторов Infineon с номинальным напряжением коллектор-эмиттер 600 и 650 В с технологией TrenchStop ™. Ассортимент включает устройства со встроенным высокоскоростным антипараллельным диодом с быстрым восстановлением.

Технические параметры

Технология/семейство trench and fieldstop
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 45
Импульсный ток коллектора (Icm), А 90
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.05
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 187
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 254
Рабочая температура (Tj), °C -40…+175
Корпус pg-to247-3
Структура n-канал+диод
Управляющее напряжение,В 4.9
Крутизна характеристики, S 16.7
Дополнительные опции trench and fieldstop
Вес, г 7.5

Техническая документация

ikw30n60t
pdf, 395 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах