Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › Infineon › IKW40N120H3FKSA1 (K40H1203), Транзистор IGBT ...

IKW40N120H3FKSA1 (K40H1203), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1200В, 40А [PG-TO-247-3]

Фото 4/6 IKW40N120H3FKSA1 (K40H1203), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1200В, 40А [PG-TO-247-3]

Фото 5/6 IKW40N120H3FKSA1 (K40H1203), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1200В, 40А [PG-TO-247-3]

Фото 6/6 IKW40N120H3FKSA1 (K40H1203), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1200В, 40А [PG-TO-247-3]

Фото 1/6 IKW40N120H3FKSA1 (K40H1203), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1200В, 40А [PG-TO-247-3]

539 шт. со склада г.Москва

490 руб.

от 15 шт. — 477 руб.

от 150 шт. — 475 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 490 руб.

В кредит от 0 руб./мес

Номенклатурный номер: 9000256065

Артикул: IKW40N120H3FKSA1 (K40H1203)

PartNumber: IKW40N120H3FKSA1

Производитель: Infineon Technologies

Описание

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура	+175 °C
Длина	16.03мм
Transistor Configuration	Одинарный
Производитель	Infineon
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)	1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора	80 A
Тип корпуса	TO-247
Максимальное рассеяние мощности	483 Вт
Тип монтажа	Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура	-40 °C
Ширина	5.16мм
Высота	21.1мм
Число контактов	3
Размеры	16.03 x 5.16 x 21.1мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	±20V
Тип канала	N
Вес, г	7.5