IKW50N60TFKSA1 (K50T60), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP and Fieldstop, 600В, 50А [PG-TO-247-3]

Фото 2/5 IKW50N60TFKSA1 (K50T60), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP and Fieldstop, 600В, 50А [PG-TO-247-3]Фото 3/5 IKW50N60TFKSA1 (K50T60), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP and Fieldstop, 600В, 50А [PG-TO-247-3]Фото 4/5 IKW50N60TFKSA1 (K50T60), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP and Fieldstop, 600В, 50А [PG-TO-247-3]Фото 5/5 IKW50N60TFKSA1 (K50T60), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP and Fieldstop, 600В, 50А [PG-TO-247-3]
Фото 1/5 IKW50N60TFKSA1 (K50T60), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP and Fieldstop, 600В, 50А [PG-TO-247-3]
261 шт. со склада г.Москва
500 руб.
от 15 шт.484 руб.
от 150 шт.480 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 500 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000178518
Артикул: IKW50N60TFKSA1 (K50T60)
PartNumber: IKW50N60TFKSA1
Страна происхождения: КИТАЙ
Производитель: Infineon Technologies

Описание

IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, 600 и 650 В
Линейка IGBT-транзисторов Infineon с номинальным напряжением коллектор-эмиттер 600 и 650 В с технологией TrenchStop ™. Ассортимент включает устройства со встроенным высокоскоростным антипараллельным диодом с быстрым восстановлением.

Технические параметры

Технология/семейство trench and fieldstop
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А 150
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 333
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 26
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 299
Рабочая температура (Tj), °C -40…+175
Корпус pg-to247-3
Вес, г 7.5

Техническая документация

Datasheet IKW50N60TFKSA1
pdf, 593 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах