IKW50N60TFKSA1 (K50T60), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP and Fieldstop, 600В, 50А [PG-TO-247-3]

Ном. номер: 9000178518
Артикул: IKW50N60TFKSA1 (K50T60)
PartNumber: IKW50N60TFKSA1
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/4 IKW50N60TFKSA1 (K50T60), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP and Fieldstop, 600В, 50А [PG-TO-247-3]
Фото 2/4 IKW50N60TFKSA1 (K50T60), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP and Fieldstop, 600В, 50А [PG-TO-247-3]Фото 3/4 IKW50N60TFKSA1 (K50T60), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP and Fieldstop, 600В, 50А [PG-TO-247-3]Фото 4/4 IKW50N60TFKSA1 (K50T60), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP and Fieldstop, 600В, 50А [PG-TO-247-3]
410 руб.
299 шт. со склада г.Москва
от 15 шт. — 403 руб.
от 150 шт. — 400 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
370 руб. По запросу 1 шт. 13 шт.
от 14 шт. — 335 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

Технические параметры

Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Вес, г
7.5

Техническая документация

Дополнительная информация

Datasheet IKW50N60TFKSA1 (K50T60) IKW50N60TFKSA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.