IKW50N65F5FKSA1 (K50EF5), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP 5, 650В, 50А [PG-TO247-3], Infineon

Описание Транзистор БТИЗ IKW50N65F5FKSA1 производства INFINEON - это высокомощный компонент для монтажа THT, предназначенный для широкого спектра применений в электронике. С током коллектора 80 А и напряжением коллектор-эмиттер в 650 В, этот транзистор может управлять значительными энергетическими нагрузками, обладая мощностью до 305 Вт. IGBT транзистор выполнен в надежном корпусе PG-TO247-3, что обеспечивает его долговечность и стабильность работы в различных условиях. Модель IKW50N65F5FKSA1 является идеальным выбором для сложных задач, где требуется высокая эффективность и надежность. Товар сочетает в себе передовые технологии INFINEON и качественное исполнение, что делает его предпочтительным вариантом для профессионалов. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	БТИЗ
Вид	IGBT
Монтаж	THT
Ток коллектора, А	80
Напряжение коллектор-эмиттер, В	650
Мощность, Вт	305
Корпус	PG-TO247-3

Технология/семейство	TRENCHSTOP 5
Наличие встроенного диода	Да
Максимальное напряжение КЭ ,В	650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	80
Импульсный ток коллектора (Icm), А	150
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.1
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	305
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	21
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	175
Рабочая температура (Tj), °C	-40…+175
Корпус	PG-TO247-3
Вес, г	7

IKW50N65F5FKSA1 (K50EF5), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP 5, 650В, 50А [PG-TO247-3]

Описание

Технические параметры

Техническая документация

Дополнительная информация