Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › Infineon › IKW75N60TFKSA1 (K75T60), Транзистор IGBT 600В ...

IKW75N60TFKSA1 (K75T60), Транзистор IGBT 600В 80А 428Вт [TO-247]

Фото 4/6 IKW75N60TFKSA1 (K75T60), Транзистор IGBT 600В 80А 428Вт [TO-247]

Фото 5/6 IKW75N60TFKSA1 (K75T60), Транзистор IGBT 600В 80А 428Вт [TO-247]

Фото 6/6 IKW75N60TFKSA1 (K75T60), Транзистор IGBT 600В 80А 428Вт [TO-247]

Фото 1/6 IKW75N60TFKSA1 (K75T60), Транзистор IGBT 600В 80А 428Вт [TO-247]

382 шт. со склада г.Москва

520 руб.

от 15 шт. — 504 руб.

от 150 шт. — 501 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 520 руб.

В кредит от 0 руб./мес

Номенклатурный номер: 9000180032

Артикул: IKW75N60TFKSA1 (K75T60)

PartNumber: IKW75N60TFKSA1

Производитель: Infineon Technologies

Описание

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура	+175 °C
Длина	16.03мм
Transistor Configuration	Одинарный
Производитель	Infineon
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)	600 В
Максимальный непрерывный ток коллектора	80 А
Тип корпуса	TO-247
Максимальное рассеяние мощности	428 Вт
Тип монтажа	Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура	-40 °C
Ширина	21.1мм
Высота	5.16мм
Число контактов	3
Размеры	16.03 x 21.1 x 5.16мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	±20V
Вес, г	7.5