IKW75N60TFKSA1 (K75T60), Транзистор IGBT 600В 80А 428Вт [TO-247]

Фото 1/6 IKW75N60TFKSA1 (K75T60), Транзистор IGBT 600В 80А 428Вт [TO-247]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 360 руб.
от 15 шт.1 310 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 360 руб.
Номенклатурный номер: 9000180032
Артикул: IKW75N60TFKSA1 (K75T60)
PartNumber: IKW75N60TFKSA1

Описание

A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology.

Технические параметры

Технология/семейство Trench and Fieldstop
Наличие встроенного диода Да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А 225
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 428
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 33
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 330
Рабочая температура (Tj), °C -40…+175
Корпус PG-TO247-3
Вес, г 7.5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IKW75N60TFKSA1
pdf, 853 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов