IKW75N60TFKSA1 (K75T60), Транзистор IGBT 600В 80А 428Вт [TO-247]

Фото 2/6 IKW75N60TFKSA1 (K75T60), Транзистор IGBT 600В 80А 428Вт [TO-247]Фото 3/6 IKW75N60TFKSA1 (K75T60), Транзистор IGBT 600В 80А 428Вт [TO-247]Фото 4/6 IKW75N60TFKSA1 (K75T60), Транзистор IGBT 600В 80А 428Вт [TO-247]Фото 5/6 IKW75N60TFKSA1 (K75T60), Транзистор IGBT 600В 80А 428Вт [TO-247]Фото 6/6 IKW75N60TFKSA1 (K75T60), Транзистор IGBT 600В 80А 428Вт [TO-247]
Фото 1/6 IKW75N60TFKSA1 (K75T60), Транзистор IGBT 600В 80А 428Вт [TO-247]
382 шт. со склада г.Москва
520 руб.
от 15 шт.504 руб.
от 150 шт.501 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 520 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000180032
Артикул: IKW75N60TFKSA1 (K75T60)
PartNumber: IKW75N60TFKSA1
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +175 °C
Длина 16.03мм
Transistor Configuration Одинарный
Производитель Infineon
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 600 В
Максимальный непрерывный ток коллектора 80 А
Тип корпуса TO-247
Максимальное рассеяние мощности 428 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура -40 °C
Ширина 21.1мм
Высота 5.16мм
Число контактов 3
Размеры 16.03 x 21.1 x 5.16мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер ±20V
Вес, г 7.5

Техническая документация

Дополнительная информация

Datasheet IKW75N60TFKSA1 (K75T60) IKW75N60TFKSA1
Datasheet IKW75N60TFKSA1 (K75T60) IKW75N60TFKSA1
Datasheet IKW75N60TFKSA1 (K75T60) IKW75N60TFKSA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах