IMD10AMT1G, Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 500mA 285mW 6-Pin SC-74R T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
18 руб.
Мин. кол-во для заказа 1900 шт.
Добавить в корзину 1900 шт.
на сумму 34 200 руб.
Технические параметры
EU RoHS | Compliant |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
Type | PNP|NPN |
Configuration | Dual |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
Maximum Continuous DC Collector Current (mA) | 500 |
Minimum DC Current Gain | 68@100mA@5V@PNP|100@1mA@5V@NPN |
Typical Input Resistor (kOhm) | 13(Max)@NPN|0.13(Max)@PNP |
Typical Resistor Ratio | 0.012(Max)@PNP |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3@1mA@100mA |
Maximum Power Dissipation (mW) | 285 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Packaging | Tape and Reel |
Automotive | No |
Standard Package Name | SOT-457 |
Pin Count | 6 |
Supplier Package | SC-74R |
Military | No |
Mounting | Surface Mount |
Package Height | 0.94 |
Package Length | 3 |
Package Width | 1.5 |
PCB changed | 6 |
Количество Выводов | 6 Выводов |
Корпус РЧ Транзистора | SOT-26 |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 50В |
Непрерывный Коллекторный Ток Ic | 500мА |
Полярность Цифрового Транзистора | NPN и PNP |
Резистор На входе Базы R1 | 130Ом |
Соотношение Сопротивления, R1 / R2 | 0.012соотношение |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 0.012 |
Техническая документация
Datasheet IMD10AMT1G
pdf, 58 КБ
Datasheet IMD10AMT1G
pdf, 56 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов