IMZ120R350M1HXKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 330 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 330 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1,2кВ, 4,7А, Idm: 13А, 30Вт Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Base Product Number | IMZ120 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1.2kV |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.3nC @ 18V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 182pF @ 800V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 2A, 18V |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | CoolSiCв„ў -> |
| Supplier Device Package | PG-TO247-4-1 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +23V, -7V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 1mA |
| Id - непрерывный ток утечки: | 4.7 A |
| Pd - рассеивание мощности: | 60 W |
| Qg - заряд затвора: | 5.3 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 350 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 1.2 kV |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | - 7 V, + 23 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 5.7 V |
| Вид монтажа: | Through Hole |
| Время нарастания: | 1.7 ns |
| Время спада: | 19.3 ns |
| Другие названия товара №: | IMZ120R350M1H SP001808378 |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение: | CoolSiC |
| Конфигурация: | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: | 1 S |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Полярность транзистора: | N-Channel |
| Производитель: | Infineon |
| Размер фабричной упаковки: | 240 |
| Серия: | IMZ120R350 |
| Технология: | SiC |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Тип транзистора: | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения: | 10.8 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 4.8 ns |
| Торговая марка: | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок: | TO-247-4 |
| Упаковка: | Tube |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.35Ом |
| Power Dissipation | 60Вт |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Линейка Продукции | CoolSiC |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 18В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Непрерывный Ток Стока | 4.7А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 60Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.35Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.7 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 350 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247-4 |
| Pin Count | 4 |
| Transistor Material | Si |
Техническая документация
Datasheet IMZ120R350M1HXKSA1
pdf, 1313 КБ
Datasheet IMZ120R350M1HXKSA1
pdf, 1366 КБ
Datasheet IMZ120R350M1HXKSA1
pdf, 1216 КБ
