IPD35N12S3L24ATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 120 В, 35 А, 0.02 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
350 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 10 шт. —
320 руб.
от 100 шт. —
234 руб.
Добавить в корзину 8 шт.
на сумму 2 800 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
IPD35N12S3L-24, SP001398656
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.02Ом |
Power Dissipation | 71Вт |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | OptiMOS-T |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 120В |
Непрерывный Ток Стока | 35А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 1.7В |
Рассеиваемая Мощность | 71Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.02Ом |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Maximum Continuous Drain Current | 35 A |
Maximum Drain Source Voltage | 120 V |
Mounting Type | SMD |
Package Type | PG-TO252-3-11 |
Вес, г | 0.68 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 392 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов