IPD35N12S3L24ATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 120 В, 35 А, 0.02 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Фото 1/2 IPD35N12S3L24ATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 120 В, 35 А, 0.02 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
350 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 10 шт.320 руб.
от 100 шт.234 руб.
Добавить в корзину 8 шт. на сумму 2 800 руб.
Номенклатурный номер: 8001914202
Артикул: IPD35N12S3L24ATMA1

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

IPD35N12S3L-24, SP001398656

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.02Ом
Power Dissipation 71Вт
Квалификация AEC-Q101
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции OptiMOS-T
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 120В
Непрерывный Ток Стока 35А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 1.7В
Рассеиваемая Мощность 71Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.02Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора TO-252(DPAK)
Maximum Continuous Drain Current 35 A
Maximum Drain Source Voltage 120 V
Mounting Type SMD
Package Type PG-TO252-3-11
Вес, г 0.68

Техническая документация

Datasheet
pdf, 392 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов