IPD80R360P7ATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 800 В, 13 А, 0.31 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
см. техническую документацию
Описание
The 800V CoolMOS™ P7 N-channel power MOSFETs from Infineon are highly efficient MOSFETs with best-in-class RDS(on)/package. These MOSFETs set a new benchmark in efficiency and thermal performance. The 800V CoolMOS™ P7 product families have been developed for flyback based low power SMPS applications including adapter and charger, lighting, audio SMPS, AUX and industrial power. Designed to address typical challenges in the various applications by delivering best-in-class price/performance ratio with excellent ease of use, making them a perfect fit for target applications. These product family offers 0.1% to 0.6% efficiency gain and 2°C to 8°C lower MOSFET temperature as compared to 800V CoolMOS™ C3 tested in flyback based applications. Such best in class performance comes from a combination of various optimized device parameters such as more than 50% reduction in switching losses (Eoss) and gate charge (Qg) and reduced input capacitance (Ciss) and output capacitance (Coss).
• Best in class FOM (Figure Of Merit) RDS(on) * Eoss (switching losses)
• Best in class DPAK RDS(on) of 280mohm
• Enabling higher power density designs, BOM savings and lower assembly costs
• Best in class V(GS)th of 3V and smallest V(GS)th variation of ±0.5V
• Easy to drive and to design-in
• Class 1C (HBM), class 2 (HBM), class C3 (CDM) integrated zener diode ESD protection
• Better production yield by reducing ESD related failures
• Best in class quality and reliability
• Fully optimized portfolio, easy to select right parts for fine tuning of designs
• Ease of use is an intrinsic feature designed into this product family
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.31Ом |
Power Dissipation | 84Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | CoolMOS P7 |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
Непрерывный Ток Стока | 13А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
Рассеиваемая Мощность | 84Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.31Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Id - непрерывный ток утечки | 13 A |
Pd - рассеивание мощности | 84 W |
Qg - заряд затвора | 30 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 310 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 6 ns |
Время спада | 6 ns |
Другие названия товара № | IPD80R360P7 SP001633516 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | CoolMOS |
Конфигурация | Single |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | CoolMOS P7 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 40 ns |
Типичное время задержки при включении | 10 ns |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Упаковка / блок | DPAK-3 |
Maximum Continuous Drain Current | 13 A |
Maximum Drain Source Resistance | 360 mO |
Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | DPAK(TO-252) |
Pin Count | 3 |
Вес, г | 0.3196 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов