IPP60R099C6, MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 740 руб.
от 10 шт. —
1 470 руб.
от 25 шт. —
1 290 руб.
от 100 шт. —
1 104 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 740 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Силовые транзисторы CoolMOS ™ В силовых транзисторах Infineon CoolMOS ™ используется революционная технология CoolMOS ™ для высоковольтных полевых МОП-транзисторов, разработанная по принципу суперперехода (SJ) и впервые разработанная Infineon. Силовые транзисторы CoolMOS ™ C6 и E6 сочетают в себе опыт ведущего поставщика полевых МОП-транзисторов SJ с первоклассными инновациями. Полученные в результате устройства обеспечивают все преимущества быстродействующего полевого МОП-транзистора SJ, не жертвуя при этом простотой использования. Чрезвычайно низкие коммутационные потери и потери проводимости делают коммутационные устройства еще более эффективными, компактными, легкими и холодными.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |
| Fall Time: | 6 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 37.9 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | IPP6R99C6XK SP000687556 IPP60R099C6XKSA1 |
| Pd - Power Dissipation: | 278 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 119 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 90 mOhms |
| Rise Time: | 12 ns |
| Series: | CoolMOS C6 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | CoolMOS |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 75 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1227 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
