IPW60R041P6FKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 030 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 030 руб.
Описание
Описание Транзистор полевой IPW60R041P6FKSA1 от производителя INFINEON – надежный компонент для мощных электронных схем. Монтаж данного транзистора осуществляется через отверстия (THT), что обеспечивает простоту установки и надежное соединение. Способен выдерживать ток стока до 77,5 А и напряжение сток-исток до 600 В, что делает его отличным выбором для высоковольтных применений. Мощность устройства составляет 481 Вт, обеспечивая высокую производительность. Сопротивление в открытом состоянии на уровне всего 0,041 Ом свидетельствует о высокой эффективности и минимальных потерях мощности. Тип N-MOSFET гарантирует высокую скорость переключения, а корпус PG-TO247 предоставляет надежную защиту компонента. Приобретая IPW60R041P6FKSA1, вы выбираете качество и долговечность для вашей электронной аппаратуры. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 77.5 |
| Напряжение сток-исток, В | 600 |
| Мощность, Вт | 481 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.041 |
| Корпус | PG-TO247 |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 77.5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.041 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Series | CoolMOS |
| Transistor Material | Silicon |
| Вес, г | 8.168 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1932 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
