IRF1010EPBF, Транзистор, N-канал 60В 79 А [TO-220AB]

Артикул: IRF1010EPBF
Ном. номер: 1052916483
Производитель: International Rectifier
Фото 1/5 IRF1010EPBF, Транзистор, N-канал 60В 79 А [TO-220AB]
Фото 2/5 IRF1010EPBF, Транзистор, N-канал 60В 79 А [TO-220AB]Фото 3/5 IRF1010EPBF, Транзистор, N-канал 60В 79 А [TO-220AB]Фото 4/5 IRF1010EPBF, Транзистор, N-канал 60В 79 А [TO-220AB]Фото 5/5 IRF1010EPBF, Транзистор, N-канал 60В 79 А [TO-220AB]
Есть в наличии более 500 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Возможна срочная доставка сегодня
41 руб. × = 41 руб.
от 50 шт. — 35 руб.
от 500 шт. — 33 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRF1010EPBF is a 60V single N-channel HEXFET Power MOSFET with advanced process technology. Advanced HEXFET® power MOSFET from International rectifier utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Ultra low on-resistance
• Dynamic dv/dt rating
• Fast switching
• Fully avalanche rated
• Industry-leading quality
• Planar MOSFET technology
• ±20V Gate to source voltage
• 1.4W/°C Linear derating factor
• 50A Avalanche current (IAR)
• 0.75°C/W Thermal resistance, junction to case
• 62°C/W Thermal resistance, junction to ambient

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
12
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
2…4

Техническая документация

IRF1010EPBF Datasheet
pdf, 241 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF1010EPBF
Datasheet IRF1010EPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов