IRF1010EPBF, Транзистор, N-канал 60В 79 А [TO-220AB]

Фото 1/4 IRF1010EPBF, Транзистор, N-канал 60В 79 А [TO-220AB]
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
180 руб.
от 15 шт.148 руб.
от 150 шт.140 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 180 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 1052916483
Артикул: IRF1010EPBF
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

N-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 60 В до 80 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевым HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Технические параметры

Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 84
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.012 Ом/50А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 200
Крутизна характеристики, S 69
Корпус TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе 2…4
Вес, г 2.5

Техническая документация

Datasheet IRF1010EPBF
pdf, 242 КБ
Datasheet IRF1010EPBF
pdf, 241 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов