Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRF1010EPBF, Транзистор, N-канал 60В 79 А ...

IRF1010EPBF, Транзистор, N-канал 60В 79 А [TO-220AB]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

190 руб.

от 15 шт. — 151 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 190 руб.

Номенклатурный номер: 1052916483

Артикул: IRF1010EPBF

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

N-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 60 В до 80 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевым HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Технические параметры

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	84
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.012 Ом/50А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	200
Крутизна характеристики, S	69
Корпус	TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе	2…4
Вес, г	2.5