IRF1010EZPBF, N Канал, 84 А, 60 В, 8.5 мОм, 10 В, 4

IRF1010EZPBF, N Канал, 84 А, 60 В, 8.5 мОм, 10 В, 4
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
460 руб.
от 5 шт.210 руб.
от 50 шт.по запросу
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 460 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000336877
Артикул: IRF1010EZPBF
Страна происхождения: ФИЛИППИНЫ
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

МОП-транзистор MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 84 A
Pd - рассеивание мощности 140 W
Qg - заряд затвора 58 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 8.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Вид монтажа Through Hole
Высота 15.65 mm
Длина 10 mm
Другие названия товара № SP001571244
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Ширина 4.4 mm
Вес, г 2.9

Техническая документация

Datasheet IRF1010EZPBF
pdf, 409 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов