IRF2807ZPBF, Транзистор, N-канал 75В 89А [TO-220AB]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
270 руб.
от 15 шт. —
261 руб.
1 шт.
на сумму 270 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 75 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 89 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0094 Ом/53А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 170 | |
Крутизна характеристики, S | 6.7 | |
Корпус | TO-220AB | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов