IRF3315S

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 740 руб.

от 2 шт. — 1 610 руб.

от 5 шт. — 1 500 руб.

от 10 шт. — 1 433.75 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 740 руб.

Номенклатурный номер: 8002024904

Электроэлемент

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 21A I(D), 150V, 0.082OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

Brand	Infineon/IR
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	3200
Fall Time	38 ns
Forward Transconductance - Min	17 S
Height	2.3 mm
Id - Continuous Drain Current	21 A
Length	6.5 mm
Manufacturer	Infineon
Maximum Operating Temperature	+175 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-252-3
Packaging	Reel
Pd - Power Dissipation	3.8 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	95 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	82 mOhms
Rise Time	32 ns
RoHS	Details
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	150 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	4 V
Width	6.22 mm
Вес, г	2.33

pdf, 385 КБ

Мы рекомендуем