IRF520NSTRLPBF, Транзистор MOSFET N-канал 100В 9.7А [D2-PАK]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
от 15 шт. —
116 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 130 руб.
Описание
MOSFET, N-CH, 100V, 9.7A, TO-263AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.7A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:48W; Transistor Case Style:TO-263AB; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:HEXFET Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.7 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.2 Ом/5.7А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 48 | |
Крутизна характеристики, S | 2.7 | |
Корпус | D2PAK(2 Leads+Tab) | |
Вес, г | 4 |
Техническая документация
Документация
pdf, 415 КБ
Datasheet IRF520NS
pdf, 408 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают