Мой регион: Россия

IRF5210STRLPBF, Транзистор HEXFET, P-канал 100В 40А [D2-PAK]

Ном. номер: 9000547571
Артикул: IRF5210STRLPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRF5210STRLPBF, Транзистор HEXFET, P-канал 100В 40А [D2-PAK]
Фото 2/3 IRF5210STRLPBF, Транзистор HEXFET, P-канал 100В 40А [D2-PAK]Фото 3/3 IRF5210STRLPBF, Транзистор HEXFET, P-канал 100В 40А [D2-PAK]
88 руб.
429 шт. со склада г.Москва
от 15 шт. — 82 руб.
от 150 шт. — 81 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 88 руб.
Есть аналоги
В кредит от 0 руб./мес
P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Вес, г
2.5

Техническая документация

Дополнительная информация

Datasheet IRF5210STRLPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.