IRF5210STRLPBF, Транзистор HEXFET, P-канал 100В 40А [D2-PAK]
![Фото 1/6 IRF5210STRLPBF, Транзистор HEXFET, P-канал 100В 40А [D2-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/153/DOC004153640.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
980 руб.
от 15 шт. —
947 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 980 руб.
Описание
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
| Структура | P-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 40 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.06 Ом/38А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 | |
| Крутизна характеристики, S | 10 | |
| Корпус | D2PAK(2 Leads+Tab) | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRF5210S, IRF5210L
pdf, 310 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
