Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRF5210STRLPBF, Транзистор HEXFET ...

IRF5210STRLPBF, Транзистор HEXFET, P-канал 100В 40А [D2-PAK]

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

980 руб.

от 15 шт. — 947 руб.

от 150 шт. — 939 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 980 руб.

В кредит от 0 руб./мес

Номенклатурный номер: 9000547571

Артикул: IRF5210STRLPBF

Страна происхождения: КИТАЙ

Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.

Технические параметры

Структура	p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	40
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.06 Ом/38А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	200
Крутизна характеристики, S	10
Корпус	D2PAK(2 Leads+Tab)
Вес, г	2.5