Добавить к сравнению Сравнить ()

IRF5305PBF, Транзистор, P-канал 55В 31А [TO-220AB]

Ном. номер: 15426
Артикул: IRF5305PBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/7 IRF5305PBF, Транзистор, P-канал 55В 31А [TO-220AB]
Фото 2/7 IRF5305PBF, Транзистор, P-канал 55В 31А [TO-220AB]Фото 3/7 IRF5305PBF, Транзистор, P-канал 55В 31А [TO-220AB]Фото 4/7 IRF5305PBF, Транзистор, P-канал 55В 31А [TO-220AB]Фото 5/7 IRF5305PBF, Транзистор, P-канал 55В 31А [TO-220AB]Фото 6/7 IRF5305PBF, Транзистор, P-канал 55В 31А [TO-220AB]Фото 7/7 IRF5305PBF, Транзистор, P-канал 55В 31А [TO-220AB]
49 руб.
2696 шт. со склада г.Москва
от 15 шт. — 42 руб.
от 150 шт. — 40 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
39 руб. 13550 шт. 1 шт. 123 шт.
от 250 шт. — 33.40 руб.
от 500 шт. — 31.80 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
В кредит от 0 руб./мес
P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
-4
Вес, г
2.5

Техническая документация

IRF5305 Datasheet
pdf, 129 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF5305PBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.