IRF5305STRLPBF, Транзистор, P-канал 55В 31А [D2-PAK]
![Фото 2/3 IRF5305STRLPBF, Транзистор, P-канал 55В 31А [D2-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/095/DOC003095843.jpg)
![Фото 3/3 IRF5305STRLPBF, Транзистор, P-канал 55В 31А [D2-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514245.jpg)
![Фото 1/3 IRF5305STRLPBF, Транзистор, P-канал 55В 31А [D2-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294585.jpg)
1155 шт. со склада г.Москва
50 руб.
от 15 шт. —
44 руб.
от 150 шт. —
43 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 50 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги1
Описание
P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
Технические параметры
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 31 A |
| Тип корпуса | D2PAK (TO-263) |
| Максимальное рассеяние мощности | 110 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 9.65мм |
| Высота | 4.83мм |
| Размеры | 10.67 x 9.65 x 4.83мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 10.67мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 14 ns |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 39 нс |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 60 МОм |
| Максимальное напряжение сток-исток | 55 В |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 1200 pF @ -25 V |
| Тип канала | A, P |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Вес, г | 2.5 |
Дополнительная информация
Datasheet IRF5305STRLPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
