IRF530NSTRLPBF

PartNumber: IRF530NSTRLPBF
Ном. номер: 8434026064
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IRF530NSTRLPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IRF530NSTRLPBF
86 руб.
105 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 25 шт. — 85 руб.
от 100 шт. — 59 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
62 руб. 347 шт. 5 дней 1 шт. 10 шт.
от 38 шт. — 39 руб.
от 76 шт. — 35 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFETs
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
17 A
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
70 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
9.65мм
Высота
4.83мм
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
9.2 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
35 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
90 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
37 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
920 pF @ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.