IRF6616TRPBF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 40 В, 106 А, 0.0037 Ом, DirectFET MX, Surface Mount

Фото 2/2 IRF6616TRPBF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 40 В, 106 А, 0.0037 Ом, DirectFET MX, Surface Mount
Фото 1/2 IRF6616TRPBF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 40 В, 106 А, 0.0037 Ом, DirectFET MX, Surface Mount
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5070 шт., срок 5-6 недель
480 руб.
от 10 шт.361 руб.
от 100 шт.308 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 480 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8066174433
Артикул: IRF6616TRPBF
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
N-Channel 40V 19A (Ta), 106A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFETв„ў MX

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 7вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора DirectFET MX
Рассеиваемая Мощность 89Вт
Полярность Транзистора N Канал
Напряжение Истока-стока Vds 40В
Непрерывный Ток Стока 106А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.0037Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs 1.8В
Линейка Продукции HEXFET Series
Transistor Mounting Surface Mount
Base Product Number IRF6616 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 19A (Ta), 106A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 4.5V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3765pF @ 20V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case DirectFETв„ў Isometric MX
Power Dissipation (Max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 19A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series HEXFETВ® ->
Supplier Device Package DIRECTFETв„ў MX
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.25V @ 250ВµA
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 19A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 2.8W
Rds On - Drain-Source Resistance 5mО© @ 19A,10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 40V
Vgs - Gate-Source Voltage 2.25V @ 250uA
Вес, г 0.1

Техническая документация

Datasheet IRF6616TRPBF
pdf, 282 КБ
Datasheet IRF6616TRPBF
pdf, 276 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах